- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長(zhǎng)爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
離子源雙靶磁控濺射鍍膜儀為我公司研發(fā)的配有兩個(gè)靶位的實(shí)驗(yàn)室專(zhuān)用鍍膜儀，設(shè)備配有兩臺(tái)直流電源，兩臺(tái)射頻電源，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。
磁控濺射相較于普通的等離子濺射擁有能量高速度快的優(yōu)點(diǎn)，鍍膜速率高，樣品溫升低，是典型的高速低溫濺射。磁控靶配有水冷夾層，水冷機(jī)能夠有效的帶走熱量，避免熱量在靶面聚集，使磁控鍍膜能長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。
本型號(hào)采用靶下置布局，樣品臺(tái)在上方，與靶面高度可通過(guò)程序**可調(diào)，并且可旋轉(zhuǎn)加熱，性能優(yōu)異。
離子源雙靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
|
產(chǎn)品名稱(chēng) |
離子源雙靶磁控濺射鍍膜儀 |
|
|
產(chǎn)品型號(hào) |
CY-MSH500X-II-DCRF-SS |
|
|
供電電壓 |
AC220V，50Hz |
|
|
整機(jī)功率 |
6KW |
|
|
極限真空度 |
5x10-4Pa |
|
|
樣品臺(tái) |
尺寸 |
150mm |
|
高度 |
上下70mm**可調(diào) |
|
|
加熱溫度 |
≤850℃ |
|
|
轉(zhuǎn)速 |
1-20rpm |
|
|
磁控濺射頭參數(shù) |
數(shù)量 |
4個(gè)2”磁控濺射頭 |
|
冷卻方式 |
水冷，所需流速10L/min |
|
|
水冷機(jī)規(guī)格 |
10L/min流速的循環(huán)水冷機(jī) |
|
|
真空腔體 |
腔體尺寸 |
φ500mm X550mm H |
|
腔體材料 |
不銹鋼 |
|
|
觀察窗口 |
φ100mm |
|
|
開(kāi)啟方式 |
前開(kāi)門(mén)式 |
|
|
氣體流量控制器 |
1路質(zhì)量流量計(jì)用于控制Ar流量，量程為:200SCCM Ar； |
|
|
真空泵 |
配有一套分子泵系統(tǒng)，抽速1200L/S |
|
|
膜厚儀 |
石英振動(dòng)薄膜測(cè)厚儀一臺(tái)，分辨率0.10 ? |
|
|
濺射電源 |
直流電源2臺(tái)，500W，適用于制備金屬膜 射頻電源2臺(tái)，500W，適用于非金屬鍍膜 |
|
|
操作方式 |
CYKY自研專(zhuān)業(yè)級(jí)控制系統(tǒng) |
|
|
整機(jī)尺寸 |
1250mm X 1000mm X2000mm |
|
|
整機(jī)重量 |
500kg |
|
