- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設(shè)備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設(shè)備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
本設(shè)備為雙靶磁控濺射鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領(lǐng)域、光學領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應(yīng)用，也可實驗室SEM樣品制備。
雙靶磁控濺射鍍膜儀配置結(jié)構(gòu)：
設(shè)備配有兩支磁控靶，兩套直流電源，可用于鍍多層導(dǎo)電金屬膜。同時設(shè)備具有主腔室和過渡艙兩部分，過渡艙配有磁力推桿，兩個艙室之間裝有真空閘板閥；用戶可以在主腔室進行濺射工作的同時，在過渡艙裝填樣品，并進行真空預(yù)抽，待主腔室濺射完成后即可將樣品通過磁力推桿推入主腔室的樣品臺。這樣的設(shè)計能夠減少主腔室抽放真空的次數(shù)，不僅能有效節(jié)省時間，更能保證更好的本地真空，有效提高鍍膜質(zhì)量。
雙靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
項目
明細
產(chǎn)品型號
CY-MSH325G-II-DCDC-SS
供電電壓
AC220V，50Hz
整機功率
6.5KW
系統(tǒng)真空
≦5×10-4Pa
樣品臺
外形尺寸
φ150mm
加熱溫度
≦500℃
控溫精度
±1℃
可調(diào)轉(zhuǎn)速
≦20rpm
磁控靶槍
靶材尺寸
直徑Φ50.8mm，厚度≦3mm
冷卻模式
循環(huán)水冷
水流大小
不小于10L/Min
真空腔體
腔體尺寸
直徑φ325mm，高度500mm
腔體材質(zhì)
SUU304不銹鋼
觀察窗口
直徑φ100mm
過渡腔體
150x150x150mm
開啟方式
頂開式
氣體控制
1路質(zhì)量流量計用于控制Ar流量，量程為:200SCCM
真空系統(tǒng)
配分子泵系統(tǒng)1套，氣體抽速600L/S
膜厚測量
可選配石英晶體膜厚儀，分辨率0.10 ?
濺射電源
配直流電源500W*2
控制系統(tǒng)
CYKY自研專業(yè)級控制系統(tǒng)
設(shè)備尺寸
1200mm×1200mm×2000mm
設(shè)備重量
450kg
